Диодный модуль GeneSiC GD2X30MPS06N, 650 В, 30 А x2, SiC, SOT227B

Диодный модуль GeneSiC GD2X30MPS06N — это полупроводниковый компонент на основе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT227B. Устройство имеет двойную независимую структуру с двумя диодами, рассчитанными на ток 30 А каждый.

• Технология SiC
• Максимальное обратное напряжение 650 В
• Ток в открытом состоянии 30 А на каждый диод (суммарно 60 А)
• Время восстановления 10 нс
• Корпус SOT227B с винтовым монтажом
• Двойная независимая структура диодов

Технология SiC

Модуль изготовлен по технологии SiC. Время восстановления составляет 10 нс. Максимальное напряжение в открытом состоянии не превышает 1,5 В.

Электрические параметры

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 650 В. Суммарный ток в открытом состоянии двух диодов составляет 60 А, а импульсный ток может достигать 168 А.

Корпус и монтаж

Компонент в корпусе SOT227B имеет винтовой тип монтажа как для электрических соединений, так и для механического крепления. Свойство элементов обозначено как MPS.