Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120F1S, 1200 В, 15 А, корпус F1.1

IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120F1S — это полупроводниковое устройство для повышающих преобразователей (boost chopper). Модель сочетает диодную и транзисторную структуры с максимальным напряжением 1200 В и током коллектора 15 А, что обеспечивает эффективную работу в силовых электронных схемах.

• Максимальное напряжение 1200 В (1,2 кВ)
• Ток коллектора 15 А (импульсный 30 А)
• Топология: boost chopper, трехфазные мосты
• Корпус F1.1, монтаж Press-in PCB
• Технология Advanced Trench FS IGBT

Высокое напряжение и ток

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ (1200 В) и номинальный ток коллектора 15 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных инверторах и преобразователях, где важна стабильность при значительных нагрузках.

Топология Boost Chopper

Устройство реализует топологию boost chopper, включающую трехфазный диодный мост и трехфазный IGBT мост с выходом OE. Такая конфигурация оптимизирована для повышения напряжения и управления энергией в промышленных системах.

Технология Advanced Trench FS IGBT

Использование технологии Advanced Trench FS IGBT обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность работы модуля. Это критически важно для минимизации нагрева компонентов в плотно упакованных электронных узлах.

Механическая и электрическая установка

Модуль имеет корпус типа F1.1 и предназначен для винтового крепления (механический монтаж). Электрическое соединение осуществляется через технологию Press-in PCB, что упрощает интеграцию в печатные платы. Максимальное напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.