Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF, N-MOSFET, 650В, 25А, TO220F (набор 10 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM073913
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF, N-MOSFET, 650В, 25А, TO220F (набор 10 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF — это полупроводниковый прибор типа N-MOSFET на технологии SJ-MOSFET. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220F для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Технология: SJ-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 42 Вт
- Корпус: TO220F
- Монтаж: THT
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Прибор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и ток стока 25 А. Рассеиваемая мощность составляет 42 Вт, что определяет тепловые условия работы. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, а заряд затвора равен 52 нКл.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220F. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает установку в отверстия печатной платы. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).
Полярность и канал транзистора (N-MOSFET, обогащаемый канал)
Упаковка содержит 10 транзисторов GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 42 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220F |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| Технология | SJ-MOSFET |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴