Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R40MT12D, SiC, 1200 В, 50 А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R40MT12D — силовой компонент на основе карбида кремния (SiC) для высоковольтных применений. Комплект состоит из 2 штук в корпусе TO247-3, что удобно для прототипирования или серийного монтажа.

• Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
• Постоянный ток стока: 50 А
• Импульсный ток стока: 140 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 40 мОм
• Рассеиваемая мощность: 333 Вт
• Корпус: TO247-3 (THT)
• Технология: SiC (G3R™)
• Комплектация: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 50 А. Это позволяет использовать компонент в мощных инверторах и источниках питания, где требуется стабильная работа под высокой нагрузкой.

Эффективность технологии SiC

Благодаря технологии G3R™ и материалу SiC, транзистор имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 40 мОм. Такой показатель снижает потери мощности и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.

Импульсная мощность

Компонент выдерживает импульсный ток стока до 140 А и имеет максимальную рассеиваемую мощность 333 Вт. Это важно для систем, работающих в режиме кратковременных пиковых нагрузок, обеспечивая надежность при резких скачках тока.

Удобный монтаж

Транзистор предназначен для выводного монтажа (THT) в корпусе TO247-3. Такое исполнение упрощает процесс установки на печатные платы и обеспечивает эффективный отвод тепла через радиатор.