Транзистор GeneSiC G3R20MT12N, 1200 В, 74 А, SiC, SOT227B

Полупроводниковый модуль GeneSiC G3R20MT12N — это одиночный MOSFET-транзистор на карбиде кремния (SiC) в корпусе SOT227B. Устройство рассчитано на напряжение 1,2 кВ и ток 74 А.

• Напряжение сток-исток: 1200 В
• Ток стока: 74 А (импульсный до 240 А)
• Технология: SiC (карбид кремния), G3R™
• Сопротивление в открытом состоянии: 20 мОм
• Корпус: SOT227B, монтаж винтовой
• Рассеиваемая мощность: 365 Вт

Технические параметры

Модуль имеет номинальное напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 74 А. В импульсном режиме ток может достигать 240 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 20 мОм, а максимальная рассеиваемая мощность — 365 Вт.

Особенности конструкции

Изделие изготовлено по технологии G3R™ на основе карбида кремния (SiC). Это одиночный транзистор с каналом обогащенного типа и униполярной поляризацией. Напряжение затвор-исток допускается в диапазоне от -5...15 В.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью винтового крепления.