Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R160MT12D, SiC, 1200 В, 16 А, комплект 5 шт.

Транзистор N-MOSFET GeneSiC G3R160MT12D — это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для высоковольтных применений. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247-3, что обеспечивает удобство для прототипирования и серийного монтажа.

• Напряжение сток-исток 1,2 кВ для высоковольтных применений
• Постоянный ток стока 16 А и импульсный 40 А
• Технология SiC и G3™ для снижения потерь
• Сопротивление в открытом состоянии 0,16 Ом
• Корпус TO247-3 для монтажа в отверстия (THT)
• Комплект из 5 транзисторов

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 16 А. Компонент характеризуется высоким напряжением и током, что позволяет использовать его в силовых электронных схемах.

Технология SiC и эффективность

Благодаря технологии G3™ и материалу SiC, устройство имеет низкое сопротивление в открытом состоянии 0,16 Ом. Это снижает тепловые потери и повышает общую эффективность схемы, что критически важно для компактных устройств с ограниченным отводом тепла.

Импульсная мощность и управление

Максимальный импульсный ток стока составляет 40 А, а рассеиваемая мощность — 123 Вт. Заряд затвора 28 нК упрощает расчет драйвера управления, обеспечивая быстрое переключение без чрезмерной нагрузки на управляющий узел.

Монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе TO247-3 для монтажа в отверстия (THT), что гарантирует механическую прочность и простоту пайки. В комплекте поставляется 5 транзисторов.

Транзистор GeneSiC G3R160MT12D является карбид-кремниевым решением для высоковольтной силовой электроники.