Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G300P06T, -60В, -40А, TO220 (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G300P06T — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе TO220, предназначенных для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Технология: Trench
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -40 А
• Мощность рассеивания: 50 Вт
• Корпус: TO220, монтаж THT
• Заряд затвора: 49 нКл
• Количество в комплекте: 30 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока -40 А и напряжение сток-исток -60 В. Мощность рассеивания составляет 50 Вт, что позволяет использовать компонент в силовых цепях с умеренной нагрузкой.

Технология Trench

Использование технологии Trench обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и эффективное переключение. Заряд затвора составляет 49 нКл, что влияет на быстродействие и требования к драйверу затвора.

Электрические параметры

Допустимое напряжение затвор-исток равно ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что определяет специфику его управления и применения в схемах с P-каналом.

Монтаж и корпус TO220

Компонент выполнен в корпусе TO220 с выводами для монтажа в отверстия (THT). Такой тип корпуса обеспечивает надежный контакт с печатной платой и позволяет эффективно отводить тепло через радиатор или металлическую пластину. Корпус TO220 является стандартом для силовых транзисторов, что упрощает замену и интеграцию в существующие схемы.