Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G29, SOT23, -15В, -4,1А (набор 30 шт.)

Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G29 — это униполярный P-MOSFET с технологией Trench, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. Товар поставляется набором из 30 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: -15 В
• Максимальный ток стока: -4,1 А
• Рассеиваемая мощность: 1,05 Вт
• Заряд затвора: 7,8 нКл
• Комплектация: набор из 30 штук

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -15 В и выдерживает ток стока до -4,1 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,05 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В, а заряд затвора равен 7,8 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, который обеспечивает компактность узла. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж). Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).