Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A, 100 В, 10 А, TO252 (набор 30 шт.)
2 650 ₴
- В наличии
- Код: TM018660
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A, 100 В, 10 А, TO252 (набор 30 шт.)В наличии
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Характеризуется напряжением сток-исток до 100 В и током стока до 10 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Технология: Trench
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 28 Вт
- Корпус: TO252 (SMD)
- Заряд затвора: 15,5 нКл
- Набор: 30 шт.
Рассеиваемая мощность
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 28 Вт.
Корпус и монтаж
Корпус TO252, монтаж SMD.
Параметры управления
Заряд затвора: 15,5 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В.
Комплект поставки
Комплект поставки: 30 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 28 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴