Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L, SOT23, -20В, -9А (30 шт.)

Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L — это униполярный P-MOSFET с технологией Trench, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. Комплект состоит из 30 единиц.

• Тип: P-MOSFET, униполярный, технология Trench
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -9 А
• Мощность рассеивания: 2,5 Вт
• Заряд затвора: 72 нКл
• Комплектация: 30 шт.

Технические характеристики

Устройство представляет собой P-канальный MOSFET с индуцированным каналом (enhancement mode). Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -20 В, а максимальный ток стока — -9 А. Мощность рассеивания равна 2,5 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±12 В, а заряд затвора — 72 нКл.

Монтаж и корпус

Транзистор выполнен в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать его для поверхностного монтажа (SMD).