Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T, -60В, -195А, TO220 (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Комплект из 20 штук предназначен для радиолюбителей и инженеров, которым нужны надежные компоненты для мощных схем управления.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальный ток стока: -195 А
• Рассеиваемая мощность: 294 Вт
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Корпус: TO220, монтаж THT
• Комплектация: набор из 20 штук

Высокая мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока -195 А и рассеиваемую мощность 294 Вт. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими нагрузками, где требуется стабильная работа при значительном нагреве.

Низкое сопротивление и скорость переключения

Благодаря технологии Trench и заряду затвора 186 нКл, транзистор обеспечивает эффективное переключение. Низкий заряд затвора упрощает управление и снижает потери энергии при частом переключении, что важно для импульсных источников питания.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220 с выводами для монтажа на плату (THT). Такой формат облегчает пайку и обеспечивает хороший отвод тепла, особенно при использовании радиаторов.

Надежность и безопасность эксплуатации

Максимальное напряжение сток-исток составляет -60 В, что определяет рабочий диапазон в силовых цепях. Допустимое напряжение затвор-исток ±20 В гарантирует стабильную работу и защищает изолятор затвора от пробоя при управлении.