Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T, 100V, 140A, TO220 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Комплект состоит из 20 единиц, что обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонтных работ.

• Ток стока: 140 А
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Рассеиваемая мощность: 236 Вт
• Корпус: TO220 (монтаж THT)
• Технология: Trench
• Комплектация: 20 шт.

Высокая мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 140 А и рассеиваемую мощность 236 Вт. Это позволяет использовать его в силовых цепях с высокими нагрузками, где требуется надежная коммутация больших токов без перегрева компонента.

Технология Trench и низкое сопротивление

Использование технологии Trench обеспечивает эффективную работу транзистора и снижение потерь энергии при коммутации. Такая конструкция способствует повышению КПД устройства и уменьшению нагрева прибора при длительной эксплуатации.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220 с выводами для монтажа на печатную плату (THT). Это упрощает процесс пайки и интеграции транзистора в существующие схемы, а также позволяет легко установить радиатор для дополнительного отвода тепла.

Электрические параметры и заряд затвора

Номинальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом типа «обогащение» (enhancement mode). Заряд затвора (Qg) равен 192 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.