Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF, 200В, 0,68А, SOT223 (30 шт.)
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM035620
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF, 200В, 0,68А, SOT223 (30 шт.)В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQT4N20LTF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 30 штук в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 0,68 А
- Рассеиваемая мощность: 2,2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 0,68 А. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
Компонент изготовлен по технологии QFET® и имеет корпус SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.68 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴