Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF9N90CT, 900В, 2,8А, TO220FP, 5 шт.
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM035619
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQPF9N90CT, 900В, 2,8А, TO220FP, 5 шт.В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полупроводниковый компонент ONSEMI FQPF9N90CT — это униполярный N-MOSFET транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 900 В. Товар поставляется комплектом из 5 штук в корпусе TO220FP для монтажа на плату.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 900 В
- Ток стока: 2,8 А (импульсный 32 А)
- Рассеиваемая мощность: 68 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: 5 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на постоянное напряжение сток-исток 900 В и ток стока 2,8 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 32 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 68 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 1,4 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (through-hole technology) предполагает установку в отверстия печатной платы. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, а заряд затвора составляет 58 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 68 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 900 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴