Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQPF27P06, -60В, -12А, TO220FP (набор 10 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM073778
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQPF27P06, -60В, -12А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FQPF27P06 в корпусе TO220FP. Предназначен для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: P-MOSFET, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -12 А
- Мощность рассеивания: 47 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Сопротивление в открытом состоянии: 70 мОм
- Набор: 10 штук
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -60 В и ток стока -12 А. Мощность рассеивания составляет 47 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 70 мОм.
Технология и монтаж
Используется технология QFET®. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия) в корпусе TO220FP. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В, а заряд затвора — 43 нКл.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 47 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴