Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C, 900В, 2,8А, TO220AB, комплект 5 шт.
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM073775
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C, 900В, 2,8А, TO220AB, комплект 5 шт.В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP9N90C — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. В комплект входит 5 штук в корпусе TO220AB.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 900 В
- Ток стока: 2,8 А
- Рассеиваемая мощность: 205 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры и напряжение затвора
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 900 В и ток стока 2,8 А. Рассеиваемая мощность составляет 205 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,4 Ом, а заряд затвора — 58 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Корпус, монтаж и технология
Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). Поляризация транзистора — униполярная. Технология изготовления: QFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 205 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 900 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴