Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQP6N80C, 800В, 3.2А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 570 ₴
- В наличии
- Код: TM018631
Набор из 10 транзисторов ONSEMI FQP6N80C типа N-MOSFET для использования в электронных устройствах. Компоненты в корпусе TO220AB обеспечивают надежную работу в цепях с напряжением до 800 В и током до 3,2 А.
- Напряжение сток-исток до 800 В
- Ток стока 3,2 А
- Мощность рассеивания 158 Вт
- Корпус TO220AB для монтажа THT
- Технология QFET®
- Набор из 10 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 800 В, подходит для применения в электронных схемах. Максимальный ток стока составляет 3,2 А, что обеспечивает стабильную работу под нагрузкой. Эти параметры определяют область применения компонента.
Эффективный отвод тепла
Мощность рассеивания 158 Вт. Корпус TO220AB обеспечивает стандартное крепление и отвод тепла. Монтаж THT.
Технология QFET®
Использование технологии QFET®. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2,5 Ом. Заряд затвора 30 нКл является параметром управления транзистором.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов. Каждая единица имеет идентичные характеристики, указанные в спецификации.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 158 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | QFET® |
- Цена: 2 570 ₴