Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP47P06, -60В, -33,2А, TO220AB, комплект 5 шт.

Транзистор ONSEMI FQP47P06 — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы с напряжением до -60 В и током до -33,2 А. Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией QFET® и предлагается в комплекте из 5 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Максимальный ток стока: -33,2 А
• Мощность рассеивания: 160 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 26 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплект: 5 штук

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток -60 В и максимальный ток стока -33,2 А. Мощность рассеивания составляет 160 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 26 мОм. Напряжение затвор-исток допускает значения ±25 В.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в стандартном корпусе TO220AB. Монтаж выполняется методом вывода в отверстия (THT), что является традиционным решением для многих плат. Технология QFET® определяет структуру кристалла транзистора.

Заряд и технология QFET®

Упаковка содержит 5 транзисторов ONSEMI FQP47P06.