Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP27P06, -60В, -27А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP27P06 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе TO220AB с выводами для монтажа на плату (THT) и реализует технологию QFET®.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -27 А
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Сопротивление в открытом состоянии: 70 мОм
• Набор: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение между стоком и истоком -60 В и постоянный ток стока -27 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 70 мОм. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±25 В, а суммарный заряд затвора равен 43 нКл.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в стандартном корпусе TO220AB. Выводы предназначены для выводного монтажа (THT). Компонент реализует технологию QFET®.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 транзисторов.