Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP17P06, -60В, -12А, TO220AB, набор 10 шт.
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM073773
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP17P06, -60В, -12А, TO220AB, набор 10 шт.В наличии
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQP17P06 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
- Максимальный ток стока: -12 А
- Мощность рассеивания: 79 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -60 В и током стока до -12 А. Мощность рассеивания составляет 79 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,12 Ом.
Корпус и монтаж
Устройство изготовлено по технологии QFET®. Корпус TO220AB и тип монтажа THT (сквозной монтаж) предназначены для установки в отверстия печатных плат. Напряжение затвор-исток ограничено ±25 В, а заряд затвора составляет 27 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 79 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴