Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD8P10TM, DPAK, -100В, -4,2А, 44Вт (набор 30 шт.)
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM073772
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD8P10TM, DPAK, -100В, -4,2А, 44Вт (набор 30 шт.)В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FQD8P10TM в корпусе DPAK. Работает с напряжением до -100 В и током до -4,2 А. Пакет содержит 30 единиц компонентов.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -4,2 А
- Рассеиваемая мощность: 44 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Комплектация: 30 шт. в упаковке
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -100 В и выдерживает постоянный ток стока -4,2 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 44 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 530 мОм, а заряд затвора — 15 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK для SMD-монтажа. Используется технология QFET®. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 44 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 530 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴