Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (комплект 20 шт.)
3 100 ₴
- В наличии
- Код: TM018628
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD7P20TM, DPAK, -200В, -3,6А (комплект 20 шт.)В наличии
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FQD7P20TM в корпусе DPAK с рассеиваемой мощностью 55 Вт. Комплект из 20 штук обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонта электронных устройств.
- Напряжение сток-исток: -200 В
- Ток стока: -3,6 А
- Рассеиваемая мощность: 55 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Сопротивление в открытом состоянии: 690 мОм
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -200 В и током стока -3,6 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 690 мОм. Заряд затвора 25 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK (монтаж SMD). Используется технология QFET®.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 55 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 690 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 100 ₴