Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM, 200 В, 3,48 А, DPAK (набор 20 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM073771
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM, 200 В, 3,48 А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD7N20LTM — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 3,48 А (постоянный), 22 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток стока 3,48 А. В импульсном режиме допустимый ток стока достигает 22 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 45 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 780 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется как комплект из 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.48 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 780 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴