
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (набор 20 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM073770
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе DPAK. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение 60 В и ток 14,3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 14,3 А (импульсный до 90,8 А)
- Мощность рассеивания: 44 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 20 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком 60 В. Номинальный ток стока составляет 14,3 А, а импульсный ток может достигать 90,8 А. Мощность рассеивания равна 44 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии составляет 45 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Тип канала — обогащенный. Максимальное напряжение на затворе составляет ±25 В. Заряд затвора равен 25 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 44 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 14.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴
