Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (набор 20 шт.)

2 040 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073770
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе DPAK. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на напряжение 60 В и ток 14,3 А.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
  • Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
  • Ток стока: 14,3 А (импульсный до 90,8 А)
  • Мощность рассеивания: 44 Вт
  • Корпус: DPAK, монтаж SMD
  • Комплектация: набор из 20 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение между стоком и истоком 60 В. Номинальный ток стока составляет 14,3 А, а импульсный ток может достигать 90,8 А. Мощность рассеивания равна 44 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии составляет 45 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Тип канала — обогащенный. Максимальное напряжение на затворе составляет ±25 В. Заряд затвора равен 25 нКл.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания44 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток25 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока14.3 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)45 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусDPAK
Информация для заказа
  • Цена: 2 040 ₴