Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD1N80TM, 800 В, 0,63 А, DPAK (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD1N80TM — это униполярный компонент с каналом обогащения и максимальным напряжением сток-исток 800 В.## Комплектация

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 0,63 А
• Максимальная мощность рассеивания: 45 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 800 В. Максимальный ток стока ограничен значением 0,63 А, а мощность рассеивания — 45 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK. Технология изготовления QFET® определяет структуру транзистора. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).

Технология и монтаж

В упаковке содержится 20 транзисторов ONSEMI FQD1N80TM. Символ производителя: FQD1N80TM.