Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD19N10LTM, 100В, 9.8А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD19N10LTM — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 100 В и ток 9,8 А.

• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 9,8 А
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Корпус: DPAK (SMD)
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,11 Ом
• Заряд затвора: 18 нКл
• Набор: 20 шт.

Мощность и ток

Транзистор выдерживает напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 9,8 А.

Тепловой режим

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 50 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK с технологией монтажа SMD.

Электрические параметры

Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,11 Ом, а заряд затвора — 18 нКл.

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 штук.