Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD16N25CTM, 250В, 10.1А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD16N25CTM — это униполярный компонент с каналом обогащения, обладающий максимальной рассеиваемой мощностью 160 Вт. Модель в корпусе DPAK обеспечивает удобный поверхностный монтаж (SMD) и стабильную работу при напряжении 250 В.

• Ток стока 10,1 А для силовых нагрузок
• Рассеивание мощности до 160 Вт
• Напряжение сток-исток 250 В
• Сопротивление в открытом состоянии 0,27 Ом
• Корпус DPAK для SMD монтажа
• Набор из 20 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 10,1 А и максимальную рассеиваемую мощность 160 Вт. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях, где важны эффективность переключения и минимальные потери энергии.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 250 В, а напряжение на затворе — ±30 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,27 Ом, что способствует снижению нагрева во время работы. Заряд затвора 53,5 нКл влияет на скорость переключения и требования к драйверу.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии QFET®, оптимизирующей характеристики для силовых применений. Корпус DPAK и тип монтажа SMD обеспечивают компактное размещение на печатной плате и надежный контакт.

Транзистор ONSEMI FQD16N25CTM подходит для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные силовые ключи для ремонтных работ или прототипирования устройств. Набор из 20 штук удобен для серийного производства или создания запаса компонентов.