Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM, 100В, 6,3А, DPAK (набор 30 шт.)
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM073768
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM, 100В, 6,3А, DPAK (набор 30 шт.)В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N10LTM — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 6,3 А
- Мощность рассеивания: 40 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 6,3 А. Мощность рассеивания составляет 40 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,2 Ом.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии QFET®. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Заряд затвора составляет 12 нКл. Канал обогащенного типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴