Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM, 200В, 5.7А, DPAK, комплект 20 шт.
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM073767
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM, 200В, 5.7А, DPAK, комплект 20 шт.В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD12N20LTM — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
- Максимально допустимый ток стока: 5.7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 55 Вт
- Корпус: DPAK (монтаж SMD)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В. Максимально допустимый ток стока равен 5.7 А, а максимальная мощность рассеивания — 55 Вт.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии QFET® и имеет корпус DPAK.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 55 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴