Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD11P06TM, DPAK, -60В, -5,95А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD11P06TM — это униполярный компонент в корпусе DPAK для монтажа SMD. Комплект состоит из 20 штук, что обеспечивает запас для серийного производства или ремонта. Прибор работает с напряжением до -60 В и током до -5,95 А, рассеивая мощность 38 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -60 В
• Ток стока: -5,95 А
• Мощность рассеивания: 38 Вт
• Сопротивление в проводящем состоянии: 0,185 Ом
• Заряд затвора: 17 нКл
• Количество в комплекте: 20 шт.

Технические параметры и корпус

Компонент изготовлен по технологии QFET®, что влияет на его электрические характеристики. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что позволяет экономить место на плате. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -60 В, а максимальный ток стока — -5,95 А. Мощность рассеивания равна 38 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства.

Электрические характеристики и сопротивление

Транзистор является униполярным с каналом обогащения типа P-MOSFET. Сопротивление в проводящем состоянии составляет 0,185 Ом, что минимизирует потери энергии при открытом канале. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено значением ±30 В, что важно учитывать при выборе драйвера затвора. Полярность транзистора — униполярная, что определяет специфику его применения в схемах управления. Тип канала — обогащенный, что обеспечивает стабильную работу в режиме открытого состояния. Заряд затвора равен 17 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к управляющему сигналу.