Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB5N90TM, 900 В, 3,42 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB5N90TM — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения и напряжением сток-исток 900 В. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе D2PAK.

• Напряжение сток-исток: 900 В
• Ток стока: 3,42 А
• Рассеиваемая мощность: 158 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 2,3 Ом
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектация: 10 шт.

Напряжение сток-исток

Транзистор имеет напряжение сток-исток 900 В. Это ключевой параметр, определяющий максимальное рабочее напряжение между выводами стока и истока.

Мощность и монтаж

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 158 Вт. Транзистор выполнен в корпусе D2PAK с монтажом SMD.

Ток и сопротивление

Ток стока составляет 3,42 А, а сопротивление в открытом состоянии — 2,3 Ом. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.

Комплектация и технология

Комплектация «10 шт.» включает десять транзисторов. Использована технология QFET®, транзистор является униполярным.