
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB22P10TM, 125 Вт, D2PAK, набор 10 шт.
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM073765
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB22P10TM — это униполярный полевой транзистор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 10 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
- Корпус: D2PAK
- Тип монтажа: SMD
- Технология: QFET®
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Устройство изготовлено по технологии QFET®, которая является специфической особенностью данной модели.
Корпус и монтаж
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴
