Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM, 200В, 13,3А, D2PAK (10 шт.)
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM073764
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM, 200В, 13,3А, D2PAK (10 шт.)В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB19N20LTM — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 13,3 А (импульсный до 84 А)
- Мощность рассеивания: 140 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Напряжение и ток
Прибор работает при напряжении сток-исток до 200 В. Постоянный ток стока составляет 13,3 А, а в импульсном режиме он может достигать 84 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора равна 140 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,15 Ом.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴