Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA70N10, 100 В, 49.5 А, TO3PN (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA70N10 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO3PN, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Комплект состоит из 10 единиц, что обеспечивает удобство для серийного производства или ремонта оборудования.

• Тип транзистора: N-MOSFET с обогащенным каналом
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 49,5 А
• Рассеиваемая мощность: 214 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 23 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Высокая рассеиваемая мощность

Транзистор способен рассеивать мощность до 214 Вт, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокими нагрузками. Такая характеристика важна для стабилизаторов питания и инверторов, где необходима надежная работа под нагрузкой без перегрева.

Эффективное управление током

Максимальный ток стока составляет 49,5 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 23 мОм. Низкое сопротивление снижает потери энергии и нагрев компонента, что повышает общий КПД устройства.

Надежная изоляция и управление

Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, что делает транзистор пригодным для схем со средним напряжением питания. Напряжение управления затвором ±25 В обеспечивает стабильное открытие и закрытие канала.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии QFET® и имеет тип монтажа THT (выводной монтаж), что упрощает пайку на печатные платы. Корпус TO3PN. Заряд затвора составляет 11 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора в динамических режимах работы.