Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA24N60, 600 В, 14,9 А, TO3PN (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA24N60 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO3PN, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и замены компонентов.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 14,9 А
• Рассеиваемая мощность: 310 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 14,9 А. Напряжение на затворе составляет ±30 В, а заряд затвора — 145 нКл.

Мощность и технология

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 310 Вт. Компонент изготовлен по технологии QFET® в корпусе TO3PN.

Монтаж и комплектация

Компонент предназначен для выводного монтажа (THT). В комплекте поставляется 5 транзисторов. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,24 Ом.