Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA13N80-F109, 800В, 8А, TO3PN (набор 5 шт.)

Набор из 5 мощных N-канальных MOSFET-транзисторов ONSEMI FQA13N80-F109 в корпусе TO3PN. Компоненты рассчитаны на высокое напряжение 800 В и ток стока 8 А, что делает их пригодными для силовых электронных схем.

• Напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 8 А
• Импульсный ток: 50,4 А
• Рассеиваемая мощность: 300 Вт
• Корпус: TO3PN
• Тип монтажа: THT
• Количество в наборе: 5 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 800 В и постоянный ток стока 8 А. Это позволяет использовать их в высоковольтных инверторах и источниках питания. Импульсный ток может достигать 50,4 А, что обеспечивает надежность при кратковременных перегрузках.

Мощность и теплоотдача

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Такой показатель позволяет компонентам эффективно работать в условиях значительной нагрузки. Корпус TO3PN способствует лучшему отводу тепла от кристалла.

Электрические параметры и управление

Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что обеспечивает стандартную логику управления. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 88 нКл, что влияет на скорость переключения. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,75 Ом, что определяет потери мощности при работе. Эти параметры важны для расчета драйвера затвора и оценки КПД схемы.