Транзистор IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1, 6A, 1200V, EasyPIM 1B

IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1 — это полупроводниковый компонент в корпусе AG-EASY1B-1 с номинальным током коллектора 6 А и напряжением 1200 В. Устройство интегрирует трехфазный диодный мост и трехфазный IGBT-мост, что обеспечивает компактное решение для силовых электронных схем.

• Номинальный ток коллектора 6 А
• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Рассеиваемая мощность 94 Вт
• Корпус AG-EASY1B-1 (EasyPIM™ 1B)
• Интегрированный NTC термистор
• Монтаж Press-in PCB

Высокая рассеиваемая мощность

Модуль способен рассеивать мощность до 94 Вт, что позволяет эффективно отводить тепло во время работы. Это важно для стабильной работы силовых каскадов в промышленных и бытовых устройствах, где тепловой режим является критическим параметром.

Интегрированная топология

Конструкция сочетает трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и NTC термистор. Такая интеграция упрощает разработку драйверов двигателей и инверторов, уменьшая количество внешних компонентов на плате.

Удобный монтаж и управление

Модуль предназначен для механического крепления (прикручивания) и электрического монтажа по технологии Press-in PCB. Напряжение управления затвор-эмиттер составляет ±20 В, а импульсный ток коллектора может достигать 12 А, что определяет требования к драйверам и позволяет работать с пиковыми нагрузками.

Структура полупроводника

Внутренняя структура модуля сочетает диод и транзистор, что реализует функциональность IGBT. Такая комбинация позволяет эффективно управлять мощностью в силовых цепях, обеспечивая необходимую топологию для трехфазных систем.