- Тип транзистора: NPN x2, биполярный
- Корпус: SOT25, монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Встроенные резисторы: 10 кОм (база, эмиттер-база)
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении коллектор-эмиттер 50 В и токе коллектора 0,1 А. Рассеиваемая мощность 300 мВт определяет тепловой режим компонента. Коэффициент усиления (hFE) составляет 30.
Встроенные резисторы (BRT)
Тип BRT предполагает встроенные резисторы базы и эмиттер-база номиналом 10 кОм. Это уменьшает количество внешних компонентов на плате. Корпус SOT25 обеспечивает компактность и удобство SMD-монтажа.
Высокая рабочая частота
Предельная частота составляет 250 МГц. Это позволяет использовать транзистор в высокочастотных и импульсных схемах.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 250 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT25 |
Информация для заказа
- Цена: 2 570 ₴

