Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN, 1200 В, 60 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM073727
Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN, 1200 В, 60 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)В наличии
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT ONSEMI FGY60T120SQDN — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Комплект состоит из двух единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 60 А
- Рассеиваемая мощность: 259 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT (выводной)
- Количество в комплекте: 2 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ и постоянный ток коллектора 60 А. Импульсный ток может достигать 240 А.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 259 Вт. Корпус TO247-3 способствует эффективному отводу тепла при правильном монтаже.
Параметры управления
Заряд затвора равен 311 нКл. Допустимое напряжение затвор-эмиттер составляет ±25 В.
Монтаж и комплектация
Компонент имеет тип монтажа THT (выводной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы. В комплекте поставляется 2 транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 259 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 240 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 920 ₴