Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65SQD-F155, 650 В, 50 А, TO247-3 (5 шт.)
2 220 ₴
- В наличии
- Код: TM073725
Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65SQD-F155, 650 В, 50 А, TO247-3 (5 шт.)В наличии
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH50T65SQD-F155 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 единиц с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 50 А.
- Тип транзистора: IGBT со встроенным антипараллельным диодом
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 50 А (импульсный до 200 А)
- Рассеиваемая мощность: 134 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 50 А. Импульсный ток может достигать 200 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 134 Вт, а напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3 с выводами для монтажа на плату (THT). Компонент имеет встроенный антипараллельный диод. Общий заряд затвора составляет 99 нКл.
Комплектация
В упаковке поставляется 5 транзисторов ONSEMI FGH50T65SQD-F155.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 134 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴