Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T65SHDF-F155, 650 В, 40 А, TO247-3 (5 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM073724
Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T65SHDF-F155, 650 В, 40 А, TO247-3 (5 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH40T65SHDF-F155 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 40 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 40 А (пиковый 120 А)
- Рассеиваемая мощность: 134 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 120 А. Рассеиваемая мощность составляет 134 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется методом THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия на печатной плате. Напряжение на затворе ограничено значением ±20 В.
Комплектация
В набор поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 134 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴