Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T120SMD-F155, 1,2 кВ, 40 А, TO247-3 (2 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM073723
Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T120SMD-F155, 1,2 кВ, 40 А, TO247-3 (2 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH40T120SMD-F155 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 2 единиц со встроенным антипараллельным диодом.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 40 А (160 А в импульсе)
- Мощность рассеивания: 277 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Встроенный антипараллельный диод
- Количество в комплекте: 2 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме ток может достигать 160 А. Мощность рассеивания составляет 277 Вт, что требует эффективного отвода тепла.
Управление и диод
Прибор имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает схемотехнику. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±25 В, а заряд затвора составляет 0,37 мкКл. Монтаж выполняется выводами в отверстия (THT).
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе TO247-3 с монтажом выводами в отверстия (THT). В комплекте поставляется 2 единицы.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 277 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴