Транзистор IGBT ONSEMI FGA40T65SHD, 650 В, 40 А, TO3P (набор 10 шт.)

Транзистор IGBT от производителя ONSEMI, модель FGA40T65SHD, предназначен для мощных электронных схем. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO3P с выводами для монтажа на плату (THT).

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 40 А
• Импульсный ток: 120 А
• Рассеиваемая мощность: 134 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Интегрированный антипараллельный диод
• Набор: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных инверторах и источниках питания, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой.

Импульсная мощность

Прибор выдерживает импульсный ток коллектора до 120 А, что обеспечивает надежность при резких пиковых нагрузках. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 134 Вт, что требует эффективного отвода тепла от корпуса TO3P.

Встроенный диод

Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод, что упрощает конструкцию силовых ключей и уменьшает количество внешних элементов на плате. Это полезно для схем с реактивной нагрузкой, где требуется защита от обратного тока.

Удобный монтаж

Корпус TO3P с технологией монтажа THT (through-hole technology) обеспечивает прочное крепление к печатной плате. Такое решение подходит для промышленного оборудования, где важна механическая устойчивость соединений.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 транзисторов IGBT ONSEMI FGA40T65SHD. Это удобно для серийного производства или ремонта оборудования, требующего замены нескольких компонентов одновременно.