Транзистор IGBT ONSEMI FGA40N65SMD, 650 В, 40 А, TO3P (набор 5 шт.)
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM073722
Транзистор IGBT ONSEMI FGA40N65SMD, 650 В, 40 А, TO3P (набор 5 шт.)В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGA40N65SMD в корпусе TO3P. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 40 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 40 А (120 А в импульсе)
- Мощность рассеивания: 174 Вт
- Корпус: TO3P, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 120 А. Мощность рассеивания составляет 174 Вт, что определяет тепловые режимы работы устройства.
Встроенный диод
Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод. Корпус TO3P, монтаж THT (выводной).
Монтаж
В комплекте поставки 5 транзисторов IGBT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 174 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3P |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴