Транзистор Infineon FF200R12KT4HOSA1, IGBT, 1200 В, 200 А, корпус AG-62MM-1

Транзистор Infineon FF200R12KT4HOSA1 — это IGBT-модуль в топологии полумоста. Модель обеспечивает номинальный ток коллектора 200 А и импульсный ток до 400 А при максимальном напряжении 1200 В.

• Максимальное напряжение 1200 В
• Номинальный ток коллектора 200 А
• Импульсный ток до 400 А
• Рассеиваемая мощность 1,1 кВт
• Корпус AG-62MM-1
• Топология полумоста IGBT

Высокая мощность и токовая нагрузка

Модуль рассчитан на рассеивание мощности до 1,1 кВт. Номинальный ток коллектора составляет 200 А, а пиковый импульсный ток достигает 400 А.

Надежная изоляция и управление

Максимальное обратное напряжение модуля составляет 1200 В. Напряжение управления между затвором и эмиттером ограничено диапазоном ±20 В. Структура «транзистор/транзистор» в топологии полумоста.

Удобный монтаж и корпус

Модуль выполнен в корпусе AG-62MM-1. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью прикручивания.