Транзистор IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 200 А, 1200 В, корпус AG-62MM-1

Модуль IGBT Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 — это полупроводниковый компонент в топологии полумоста, предназначенный для мощных электронных систем. Он сочетает высокую токовую нагрузку 200 А и рабочее напряжение до 1200 В, обеспечивая эффективное управление энергией в промышленных применениях.

• Ток коллектора 200 А для мощных нагрузок
• Импульсный ток до 400 А для пусковых режимов
• Рабочее напряжение до 1,2 кВ
• Рассеиваемая мощность 1,05 кВт
• Корпус AG-62MM-1 для эффективного охлаждения
• Топология полумоста IGBT

Высокая мощность и ток

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 200 А, что позволяет использовать его в мощных инверторах и приводах. Импульсный ток может достигать 400 А, что важно для пусковых режимов и динамических нагрузок. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,05 кВт, что гарантирует стабильную работу под высокой нагрузкой.

Надежная изоляция и напряжение

Максимальное обратное напряжение модуля составляет 1,2 кВ, что обеспечивает безопасную эксплуатацию в сетях с повышенным напряжением. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что соответствует стандартным требованиям к управляющим сигналам IGBT. Это позволяет интегрировать модуль в системы с надежной гальванической развязкой.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе AG-62MM-1, который обеспечивает эффективный отвод тепла и механическую устойчивость. Механический и электрический монтаж выполняется с помощью винтового крепления, что гарантирует надежный контакт и простоту обслуживания. Структура полупроводника «транзистор/транзистор» в топологии полумоста оптимизирована для эффективной коммутации.

Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1 является оптимальным решением для инженеров, разрабатывающих мощные промышленные приводы, инверторы и системы питания, где критичны надежность и высокая энергоэффективность.