Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 1200 В, 400 А
9 320 ₴
- В наличии
- Код: TM018598
Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 1200 В, 400 АВ наличии
9 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT модуль от бренда Infineon Technologies, модель FF200R12KE3HOSA1. Это полупроводниковый прибор в корпусе AG-62MM-1 с максимальной мощностью рассеивания 1050 Вт и током коллектора 400 А.
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Максимально допустимый ток коллектора: 400 А
- Максимальная мощность рассеивания: 1050 Вт
- Корпус: AG-62MM-1
- Топология: полумост IGBT
Электрические параметры
Модуль имеет максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и допустимый ток коллектора 400 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 1050 Вт. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено величиной ±20 В.
Конструкция и монтаж
Прибор имеет топологию полумоста IGBT и структуру «транзистор/транзистор». Корпус AG-62MM-1 предусматривает механическое и электрическое крепление прикручиванием.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1050 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 400 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Корпус | AG-62MM-1 |
Информация для заказа
- Цена: 9 320 ₴