Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDT458P, SOT223, -30В, -3,4А (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDT458P в корпусе SOT223 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Это униполярный транзистор с каналом обогащения, работающий при напряжении сток-исток до -30 В и токе стока до -3,4 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -3,4 А
• Рассеиваемая мощность: 3 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,21 Ом
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную рассеиваемую мощность 3 Вт и сопротивление в открытом состоянии 0,21 Ом. Напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В, а заряд затвора — 3,5 нКл. Максимальное напряжение сток-исток равно -30 В, а максимальный ток стока — -3,4 А.

Корпус и комплектация

Компонент выполнен в корпусе SOT223 с типом монтажа SMD. Технология изготовления — PowerTrench®. В комплекте поставляется 20 штук.