Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT1600N10ALZ, 100 В, 3,5 А, SOT223 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT1600N10ALZ — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Компонент рассчитан на напряжение 100 В и ток 3,5 А. Пакет содержит 20 единиц в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 3,5 А
• Рассеиваемая мощность: 10,42 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,16 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и максимальный ток стока 3,5 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,16 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 10,42 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT223, который является стандартом для поверхностного монтажа (SMD). Компонент выполнен в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 20 транзисторов.