Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949, 40 В, 6 А, SO8 (набор 20 шт.)
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM073700
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949, 40 В, 6 А, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8949 — это двойной полевой транзистор в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 одинаковых компонентов.
- Напряжение сток-исток: 40 В
- Ток стока: 6 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 43 мОм
- Корпус: SO8 (монтаж SMD)
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 40 В и ток стока 6 А. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Рассеиваемая мощность равна 2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 43 мОм. Заряд затвора равен 11 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе SO8. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж). Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенного типа.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴